Специалисты РТУ МИРЭА ускорили обработку сапфира в несколько раз
26 июля на портале «Научная Россия» сообщили о достижении инженеров РТУ МИРЭА. Им удалось значительно ускорить обработку сапфира, используемого в производстве полупроводников. Об этом пишет сайт Ferra.
Специалисты заменили свободный абразив на алмазный инструмент с жёстким креплением зёрен. Это перевело процесс с ударного разрушения на сдвиговое микрорезание. В результате скорость съёма материала выросла в 6,5 раза, глубина дефектного слоя сократилась на 30–40%, а шероховатость упала ниже 0,07 мкм. Разработка критична для выпуска тонких подложек для светодиодов, лазеров и СВЧ-микроэлектроники.
Для черновой обработки лучшие показатели продемонстрировал термостабилизированный инструмент с крупным зерном. Он снимал материал почти в 6,5 раз быстрее аналогов. Для финишной стадии оптимальным стал инструмент с графитовыми добавками, улучшающими теплоотвод. Уменьшение повреждённого слоя особенно важно для пластин толщиной менее 200 мкм: микротрещины могут разрушить их на последующих этапах. Технология уже апробирована на конференции «Перспективные материалы и технологии» и готова к внедрению.
Как отметил старший научный сотрудник центра Виктор Кадомкин, снижение нарушенного слоя повышает механическую прочность тонких приборных пластин. Это сокращает время финишной полировки и уменьшает риск брака. В настоящее время исследователи продолжают оптимизировать составы инструментов для финишного шлифования.
